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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5401 个

  • 3706场效应管,60v50a mos,to252,KND3706A参数-KIA MOS管

    KND3706A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流50A,采用先进的高密度沟槽技术制造,为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS(导通)和栅极电荷性能。具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ,最大限度地减少导电损耗,提高效率;超低栅极电荷、100%EAS认证、卓越的Cdv/d...

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    www.kiaic.com/article/detail/6006.html         2025-10-31

  • 音响保护电路,扬声器保护电路图分享-KIA MOS管

    当主功率放大器的输出端直流电压为0V时,VT1管因为没有偏置电压而截止;VT2管发射极和基极电压都为0V,VT2管截止;因为VT2管截止,VT3管基极电流没有回路,所以使VT3也截止;VT3管截止,其发射极电压高,使VT4管基极电压高,VT4管是PNP型三极管,所以VT4管也截...

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    www.kiaic.com/article/detail/6005.html         2025-10-31

  • 蓝牙音箱电路详解,蓝牙音箱电路原理图-KIA MOS管

    电源类型:可分为电池供电(如锂电池)或电源适配器供电。电池供电时需配合充电管理芯片,功放芯片多采用D类放大芯片以实现大音量输出。电压稳定:部分电路通过PI型滤波电路(由电容、电阻组成)稳定电压,防止电压波动损坏芯片。

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    www.kiaic.com/article/detail/6004.html         2025-10-31

  • 80R240场效应管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B参数-KIA MOS管

    KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET,漏源击穿电压800V,漏极电流18A,低导通电阻RDS(on) 205mΩ,超低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,能够减少功耗并提高效率;具有高耐压特性和低电阻特性,超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,抗冲击能力强...

    www.kiaic.com/article/detail/5896.html         2025-10-30

  • 80r240,800v18a,KLM80R240B场效应管参数-KIA MOS管

    KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件,通过优化芯片结构实现低内阻、高抗浪涌能力和快速开关特性。80r240?漏源击穿电压800V,漏极电流18A,低导通电阻RDS(on) 205mΩ,超低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,提高效率;还具有高耐压...

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    www.kiaic.com/article/detail/6003.html         2025-10-30

  • 无线充电原理图,无线充电模块原理-KIA MOS管

    无线充电的基本原理就是常用的开关电源原理,区别在于没有磁介质耦合,需要利用磁共振的方式提高耦合效率,具体方法是在发送端和接收端线圈串并联电容,是发送线圈处理谐振状态,接收端线圈也是如此。

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    www.kiaic.com/article/detail/6002.html         2025-10-30

  • 车载充电器电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    车载USB充电器是插在汽车的点烟器上工作的 ,点烟器的直流电压是由汽车上蓄电池供应的。小轿车、SUV点烟器上的电是压是DC12V,大型车点烟器上的电是压是DC24V。因此设计车载USB充电器输入电压要12-24VDC宽电压输入,以达到大小汽车通用。

    www.kiaic.com/article/detail/6001.html         2025-10-30

  • 60r380场效应管,超结mos,600v11a,​KLF60R380B参数-KIA MOS管

    KLF60R380B场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流11A,采用KIA先进的超级结技术制造,有效降低导通损耗,提供卓越的开关性能,低?导通电阻RDS(开启) 0.34Ω,低栅极电荷33nC,高效低耗;还具有高耐用性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,在雪崩模式和...

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    www.kiaic.com/article/detail/6000.html         2025-10-29

  • 充电保护电路原理图,锂电池保护电路分享-KIA MOS管

    当充电过充时,锂电池端电压超过4.28V(该值由控制IC设定),“Cout”脚输出低电平,使Q2断开,虽二极管D1及Q1导通,但Q2截止及二极管D2反偏,迫使充电停止,防止了过充,由于有D2的存在,使放电不受影响。

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    www.kiaic.com/article/detail/5999.html         2025-10-29

  • 过流保护电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    在电源输入端串一个采样电阻到PMOS的源极S,那么这个采样电阻就会有电压差,三极管的be并到这个电阻,当压差大于Vbe时,Vgs就0了,PMOS关闭,实现过流保护。

    www.kiaic.com/article/detail/5998.html         2025-10-29

  • 830场效应管,500vmos​​​,to252,​KIA830HD参数引脚图-KIA MOS管

    KIA830HD场效应管漏源电压500V,漏极电流5A,低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω,最大限度地减少导电损耗,提高效率;器件具有低电阻和低栅极电荷的特点,符合RoHS环保要求,稳定可靠,在峰值电流或脉冲宽度方面,都能够表现出卓越的性能;830场效应管可以替代irf830、...

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    www.kiaic.com/article/detail/5997.html         2025-10-28

  • 变频电机原理,变频电机和工频电机的区别-KIA MOS管

    变频器调节电流频率:当电机启动时,变频器将电网提供的固定频率电流(50Hz或60Hz)转换成一个可调频率的电流。这个频率值决定了电机的转速。电机根据频率调整转速:频率越高,电机转速越快;频率越低,电机转速越慢。这种调节过程使得电机能够根据负载的不同需...

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    www.kiaic.com/article/detail/5996.html         2025-10-28

  • 无刷马达工作原理,无刷马达电路图-KIA MOS管

    无刷马达(无刷直流电机)的工作原理是通过电子换向器替代传统的机械换向器,实现电机转子的连续旋转。无刷马达通过电子换向系统替代传统机械电刷,利用位置传感器检测转子磁极位置,控制器驱动定子绕组产生旋转磁场,从而驱动永磁体转子旋转,实现高效、低磨损...

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    www.kiaic.com/article/detail/5995.html         2025-10-28

  • ​70n06场效应管参数,60v70a,to263,KIA70N06-KIA MOS管

    KIA70N06场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流70A,采用KIA专有的平面条状DMOS技术制造,技术经过专门优化,有效降低导通状态电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩模式和换向模式下承受高能量脉冲。70n06场效应管低导通电阻RDS(开启) 0.015Ω,最大限度地减少导电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5994.html         2025-10-27

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